如何改进LDO，使LDO的导通压降只有200mV？

Question

Accepted Answer

考察点：考察对LDO压降来源、低压差设计方法和工艺权衡的理解。回答思路：指出传统LDO压降主要来自调整管饱和压降和驱动电路压降 说明选用合适调整管类型（如PMOS或NMOS）以降低饱和压降 讨论提高驱动能力、优化环路和工艺参数对压降的影响 分析200mV低压差下的效率、稳定性及设计权衡

考察说明