诺瓦星云面试题更新 2026-08-05
如何保证MOS管不同侧导通，以及死区时间的设定方法？
诺瓦星云电子/硬件开发电子/半导体风险判断技术原理
考察说明
考察功率电路半桥/全桥驱动中防止直通的死区设计方法与实现思路
回答思路
- 说明不同侧导通（互补PWM）的基本控制逻辑
- 解释死区时间的作用是防止上下管同时导通造成直通
- 结合驱动芯片或软件实现说明死区设定方法
- 提及死区时间过长或过短的影响与权衡
本题附完整参考答案与评分标准
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