长鑫存储面试题 · 技术原理
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共 320 道真题 · 当前筛选命中 121 道 · 更新 2026-08-05
筛选题目已选：技术原理
考察点
技术栈
第 101 题请说明D触发器的工作原理。 考察数字电路基础中D触发器的存储与时钟同步机制第 102 题分布式锁与悲观锁有什么区别？ 考察两种锁机制的原理、适用场景及选型能力第 103 题请解释什么是脏读，以及它产生的原因是什么？ 考察对脏读概念及产生机制的理解第 104 题请结合你的科研或项目经历，介绍一个遇到的主要难点，以及你是如何分析原因并解决它的。 考察问题拆解、技术攻坚与复盘能力第 105 题请解释二叉树深度优先搜索（DFS）和广度优先搜索（BFS）的原理及适用场景。 考察对二叉树两种基础遍历算法的原理理解和适用场景辨析第 106 题JVM运行时内存是什么样的，堆里面放什么，常量放在哪里？ 考察JVM运行时数据区结构、堆内存分配和常量存储位置第 107 题有一个国家比较重男轻女，一定要生出男孩。如果女性怀孕就一直生，直到生出男孩为止，请问一百年后这国家男女比例是多少？ 考察概率论中随机过程与生育策略对性别比例的影响第 108 题怎么测薄膜的厚度? 考察薄膜厚度测量方法的选择与原理掌握第 109 题请用你熟悉的语言实现快速排序，并解释你的基准选取和递归过程。 考察快速排序的编码实现与理解第 110 题讲讲设计模式中的单例模式（懒汉式和饿汉式） 考察对单例模式两种实现方式的理解及线程安全等边界问题第 111 题请解释 DRAM 是什么，并说明它的主要作用。 考察对 DRAM 基础概念和用途的理解第 112 题存储过程在数据库应用中有哪些作用？请结合实际使用场景说明。 考察数据库存储过程的功能理解与应用场景分析第 113 题请详细说明DRAM的基本工作原理和内部结构，并解释MOSFET在其中的作用。 考察对DRAM原理、结构及MOSFET角色的理解深度第 114 题请描述MOS管的I-V特性曲线，并解释其不同工作区域的形成原因。 考察对MOS管工作原理及I-V特性的理解第 115 题请从底层架构、索引机制和事务特性三个方面，谈谈你对 MySQL 的理解。 考察对 MySQL 核心原理的系统把握与表达条理第 116 题在JVM垃圾回收中，哪些对象可以作为GC Root？ 考察对JVM可达性分析和GC Root类型的掌握程度第 117 题GET请求和POST请求的联系和区别 考察HTTP方法与语义的掌握及实际应用第 118 题请详细说明JVM垃圾回收的完整过程，包括对象判定、回收算法和分代回收机制。 考察对JVM垃圾回收核心原理和流程的理解第 119 题请画出CMOS反相器电路图，并解释其工作原理。 考察CMOS电路基础与互补对称结构理解第 120 题如何评估系统内存带宽的好坏？请说明评判标准和相关因素。 考察对内存带宽概念、影响因素和评估方法的理解